Interface entre le silicium et la silice. La poudre de silicium de haute pureté possède de bonnes propriétés interfaciales. Par rapport à l'interface d'autres matériaux semi-conducteurs correspondant à la couche d'oxyde, l'interface entre le silicium et le dioxyde de silicium est parfaite. Avec l’évolution de la technologie, les défauts d’interface sont de mieux en mieux contrôlés. Par exemple, l’effet des défauts a été faible après une modification en salle blanche. Dans le même temps, lors de l'injection d'impuretés, le dioxyde de silicium peut être utilisé comme couche de protection, bloquant efficacement le phosphore, le bore et d'autres impuretés. Deuxièmement, la poudre de silicium de haute pureté est un matériau isolant très stable, tandis que le dioxyde de germanium est non seulement instable à haute température, mais également soluble dans l'eau, tandis que le dioxyde de silicium n'a aucun problème de ce type ; le grand écart énergétique du dioxyde de silicium réduira son courant de fuite (bien sûr, si la couche d'oxyde est trop fine, le courant de fuite augmentera).
Par rapport au germanium, la poudre de silicium de haute pureté présente un écart énergétique plus grand, ce qui lui permet de résister à des températures de fonctionnement plus élevées et à une plus grande plage de dopage d'impuretés. La tension de claquage du matériau silicium sera également plus élevée. Les dispositifs semi-conducteurs étaient autrefois fabriqués en germanium, une technologie mature offrant une réponse de commutation plus rapide. Mais ces trucs coûtent trop cher. Finalement, le silicium a été choisi comme matériau semi-conducteur. Bien entendu, cela est lié à de nombreuses excellentes propriétés du silicium lui-même, telles que de grandes réserves et des performances stables. Un autre avantage est que le dioxyde de silicium est un isolant naturel et peut être utilisé directement comme couche intermédiaire après traitement thermique.
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