SiC solide

Description du support en carbure de silicium

Le carbure de silicium est un matériau semi-conducteur de troisième génération. Par rapport aux matériaux en silicium ordinaires, le carbure de silicium présente des avantages très remarquables. Il surmonte non seulement certains des défauts des matériaux en silicium ordinaires, mais présente également de très bonnes performances en termes de consommation d'énergie.

Le carbure de silicium (SiC), le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d'aluminium (ALN), l'oxyde de gallium (Ga2O3), etc., sont collectivement appelés matériaux semi-conducteurs à large bande interdite car la largeur de la bande interdite est supérieure à 2,2 eV, et sont également appelés matériaux semi-conducteurs de troisième génération en Chine.

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Carbure de silicium grossierSpécification

Fabricants chinois de carbure de silicium grossier --ZhenAn Group

Fabricant de carbure de silicium grain 80 - ZhenAn International

Fournisseur de carbure de silicium de grain 80 - ZhenAn International

Avantages des performances électriques des dispositifs de puissance en carbure de silicium :

1. Résistance à haute tension : le champ électrique de claquage critique est aussi élevé que 2 MV/cm (4H-SiC), il a donc une résistance à haute tension plus élevée (10 fois celle du Si).

2. Dissipation thermique facile : grâce à la conductivité thermique élevée du matériau SiC (trois fois supérieure à celle du Si), la dissipation thermique est plus facile et l'appareil peut fonctionner à des températures ambiantes plus élevées. Théoriquement, les dispositifs de puissance SiC peuvent fonctionner à une température de jonction de 175 degrés, ce qui permet de réduire considérablement la taille du dissipateur thermique.

3. Faible perte de conduction et perte de commutation : le matériau SiC a une vitesse de saturation électronique deux fois supérieure à celle du Si, ce qui fait que les dispositifs SiC ont une résistance de conduction extrêmement faible (1/100 de celle du Si) et une faible perte de conduction ; le matériau SiC a 3 fois la largeur de bande interdite du Si, le courant de fuite est plusieurs ordres de grandeur inférieur à celui des dispositifs Si, ce qui peut réduire la perte de puissance des dispositifs de puissance ; il n'y a pas de phénomène de traînée de courant pendant le processus de mise hors tension et la perte de commutation est faible, ce qui peut augmenter considérablement la fréquence de commutation des applications pratiques. (10 fois celle du Si).

4. La taille du module de puissance peut être réduite : En raison de la densité de courant élevée de l'appareil (par exemple, les produits Infineon peuvent atteindre 700 A/cm), au même niveau de puissance, la taille du boîtier du module de puissance SiC complet (MOSFET SiC SiC SBD) est nettement plus petite que le module de puissance Si IGBT.

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FAQ

Q : Comment pouvez-vous contrôler votre qualité ?

R : Pour chaque processus de production, ZhenAn dispose d'un système de contrôle qualité complet pour la composition chimique et les propriétés physiques. Après la production, toutes les marchandises seront testées et le certificat de qualité sera expédié avec les marchandises.

Q : Êtes-vous un fabricant ou un commerçant ?

R : Non seulement nous pouvons fournir des produits de haute qualité au meilleur prix, mais nous pouvons également offrir le meilleur service avant-vente et après-vente.

Q : Fournissez-vous des échantillons gratuits de SiC solide ?

R : Bien sûr, des échantillons gratuits sont disponibles.

Q : Quel est votre délai de livraison ?

R : Cela prend généralement environ 15- 20 jours après réception du bon de commande.

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