Le carbure de silicium SiC est un matériau semi-conducteur composé d'éléments de carbone et de silicium. C'est l'un des matériaux idéaux pour fabriquer des appareils à haute température, haute fréquence, haute puissance et haute tension.
Les principaux avantages des matières premières en carbure de silicium se reflètent dans :
(1) Résistance à haute tension : une impédance plus faible, une bande interdite plus large, peut supporter un courant et une tension plus élevés, conduisant à une conception de produit de plus petite taille et à une efficacité plus élevée ;
(2) Résistance à haute fréquence : il n'y a pas de phénomène de traînée de courant dans les dispositifs SiC pendant le processus de mise hors tension, ce qui peut augmenter efficacement la vitesse de commutation du composant (environ 3-10 fois celle du Si) et convient pour des fréquences plus élevées et des vitesses de commutation plus rapides. ;
(3) Résistance aux hautes températures : le SiC a une conductivité thermique plus élevée que le silicium et peut fonctionner à des températures plus élevées.
Par rapport au matériau de silicium (Si) traditionnel, la bande interdite du carbure de silicium (SiC) est 3 fois supérieure à celle du silicium ; la conductivité thermique est 4-5 fois celle du silicium ; la tension de claquage est 8-10 fois celle du silicium ; et le taux de dérive de saturation des électrons 2-3 fois celui du silicium.
